Características
R, V @10 V, I @500 mA = 3,0 DS(ON) GS D
R, V @4,5 V, I @200 mA = 4,0 DS(ON) GS D
• Proteção ESD 2ΚV (modo corpo humano)
Tecnologia avançada de processo de vala.
Design de célula de alta densidade para baixíssima resistência de ativação.
• Corrente de fuga muito baixa em condição de desligamento
Especialmente projetado para sistemas operados por bateria,
drivers de relés de estado sólido, relés, displays, lâmpadas,
solenoides, memórias, etc.
Em conformidade com as diretivas RoHS 2002/95/EC da UE.
• O sufixo "-H" indica peça livre de halogênio, ex. 2N7002K-H.