Características
• rDS(ON) = 9 mΩ, VGS = 10 V, ID = 35 A
• rDS(ON) = 12 mΩ, VGS = 4,5 V, ID = 35 A
• Tecnologia *trench* de alto desempenho para rDS(ON)
extremamente baixo
• Baixa carga de porta (*gate charge*)
• Alta capacidade de manuseio de potência e corrente
• Em conformidade com a diretiva RoHS