CARACTERÍSTICAS
• Livre de halogênio, conforme IEC 61249-2-21
Definição
• MOSFET de potência TrenchFET®
• Comutação no lado alto
• Baixa resistência de ativação: 6
• Baixo limiar: - 2 V (típico)
• Velocidade de comutação rápida: 20 ns (típico)
• Baixa capacitância de entrada: 20 pF (típico)
• Proteção ESD de 2000 V
• Em conformidade com a Diretiva RoHS 2002/95/EC