SMD CI HYB18H512321BF-14 INTEGRATED CIRCUITS IC SMT

CARACTERÍSTICAS

• Tensão de E/S VDDQ de 2,0 V HYB18H512321BF–08/10
• Tensão do núcleo VDD de 2,0 V HYB18H512321BF–08/10
• Tensão de E/S VDDQ de 1,8 V HYB18H512321BF–11/12/14
• Tensão do núcleo VDD de 1,8 V HYB18H512321BF–11/12/14
• Organização: 2048K × 32 × 8 bancos
• 4096 linhas e 512 colunas (128 posições de início de burst) por banco
• Entradas de clock diferenciais (CLK e CLK)
• Latências CAS de 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17
• Escrita Latências de 3, 4, 5, 6, 7
• Sequência de burst com comprimento de 4, 8.
• Pré-busca de 4n
• Temporização RAS para CAS curta para escritas
• Suporte a bloqueio tRAS
• tWR programável para escritas com pré-carga automática
• Máscara de dados para comandos de escrita
• Strobe de leitura de terminação única (RDQS) por byte. RDQS alinhado à borda com os dados de leitura
• Strobe de escrita de terminação única (WDQS) por byte. WDQS alinhado ao centro com os dados de escrita
• DLL alinha as transições RDQS e DQ com o clock
• Interface de E/S programável, incluindo terminação no chip (ODT)
• Opção de pré-carga automática com suporte a pré-carga automática simultânea
• Atualização de 8k (32ms)
• Autoatualização e auto-atualização
• Pacote PG-TFBGA-136 (10mm × 14mm)
• Acionamento de saída calibrado. Suporte ativo para encerramento
• Produto em conformidade com RoHS1)