SMD CI SN74AUP1G32DCKT INTEGRATED CIRCUITS IC SMT

Características

• Disponível no encapsulamento ultracompacto de 0,64 mm²
(DPW) com passo de 0,5 mm
• Baixo consumo de energia estática (ICC = 0,9 µA máx.)
• Baixo consumo de energia dinâmica (Cpd = 4,3 pF típico a 3,3 V)
• Baixa capacitância de entrada (CI = 1,5 pF típico)
• Baixo ruído – sobretensão e subtensão <10% de VCC
• Ioff Suporta inserção ativa, modo de desligamento parcial
e proteção contra sobretensão
• A histerese de entrada permite uma transição de entrada lenta e
melhor imunidade a ruído de comutação na entrada (Vhys = 250 mV típico a 3,3 V)
• Ampla faixa de tensão de operação VCC de 0,8 V a 3,6 V
• Otimizado para operação em 3,3 V
• Tolerante a E/S de 3,6 V para suportar operação de sinal em modo misto
• tpd = 4,6 ns Máx. a 3,3 V
• Adequado para aplicações ponto a ponto
• Desempenho de latch-up superior a 100 mA
De acordo com JESD 78, Classe II
• Desempenho ESD testado de acordo com JESD 22
– Modelo de corpo humano de 2000 V
(A114-B, Classe II)
– Modelo de dispositivo carregado de 1000 V (C101)