CARACTERÍSTICAS
• Livre de halogênio, conforme IEC 61249-2-21
Definição
• MOSFET de potência TrenchFET®: 1,8 V nominal
• Ocupa muito pouco espaço
• Comutação no lado alto
• Baixa resistência de ativação: 0,7
• Limiar baixo: 0,8 V (típico)
• Velocidade de comutação rápida: 10 ns
• Operação em 1,8 V
• Protegido contra ESD de porta-fonte: 2000 V
• Em conformidade com a Diretiva RoHS 2002/95/EC