CARACTERÍSTICAS
• RDS(LIGADO), VGS@10V,IDS@500mA=5Ω
• RDS(LIGADO), VGS@4,5V,IDS@75mA=7,5Ω
• Tecnologia Avançada de Processo de Trincheira
• Projeto de célula de alta densidade para resistência ultrabaixa
• Especialmente projetado para sistemas operados por bateria, relés de estado sólido
Drivers: Relés, Displays, Lâmpadas, Solenoides, Memórias, etc.
• Em conformidade com as disposições RoHS 2002/95/E