Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 20 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 1 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 150 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 8 V, + 8 V
Tensão de limite porta e fonte: 1 V
Qg - Carga na porta: 1.6 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 350 mW
Modo de canal: Enhancement
Série: NFET-20TSMN