CARACTERÍSTICAS
• Tensão de detecção: 0,8 V a 4,6 V (passo de 0,1 V)
• Precisão da tensão de detecção: ±0,5% (2,4 V ≤ −VDET ≤ 4,6 V)
±12 mV (0,8 V ≤ −VDET < 2,4 V)
• Consumo de corrente: 270 nA tipo. (1,2 V ≤ −VDET < 2,3 V)
• Faixa de tensão de operação: 0,6 V a 10,0 V (produto de saída CMOS)
• Largura de histerese: 5% ±1%
• Precisão do tempo de atraso: ±15% (CD = 4,7 nF)
• Forma de saída: saída de dreno aberto Nch ("L" ativo)
Saída CMOS ("L" ativo)
• Faixa de temperatura de operação: Ta = −40 °C a +85 °C
• Sem chumbo (Sn 100%), sem halogênio