SMD DI TVS SMDJ30A ESD SUPRESSOR DIODE SMT

Características

• Capacidade de 3000 W PPPM
com forma de onda de 10/1000 μs,
taxa de repetição (ciclos de trabalho): 0,01%
• Para aplicações de montagem em superfície
para otimizar o espaço na placa
• Modo de falha típico: curto-circuito
devido à tensão ou corrente sobreespecificada
• Teste de filamento de silício realizado
com base na norma JEDEC JESD201A
conforme as tabelas 4a e 4c, aprovado nas classes 1 e 2
• Junção do chip passivada com vidro
• IEC-61000-4-2 ESD 30 kV (Ar),
30 kV (Contato)
• Baixa resistência dinâmica
• VBR @ TJ
= VBR@25 °C x (1 + αT
x (TJ
- 25)) (αT: Coeficiente de temperatura, valor típico
de 0,1%)
• Composto reconhecido pela UL
atendendo à classificação de inflamabilidade V-0
• Livre de halogênio e
em conformidade com RoHS
• E3 livre de chumbo significa que a interconexão de segundo nível é livre de chumbo e o material de acabamento do terminal é estanho (Sn) (IPC/JEDEC J-STD609A.01)
• Reconhecido pela UL 497B
como um protetor de circuito de loop isolado